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首页 全部分类 NTP6413ANG vs IPP47N10SL26AKSA1

NTP6413ANG备选型号: IPP47N10SL26AKSA1

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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • ON Semiconductor
    NTP6413ANG
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Rail
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
    通孔
    TO-220-3
    NO
    3
    4.535924g
    SILICON
    42A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2009
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    28MOhm
    Tin (Sn)
    3
    Single
    增强型MOSFET
    136W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    28m Ω @ 42A, 10V
    4V @ 250μA
    1800pF @ 25V
    51nC @ 10V
    84ns
    ±20V
    71 ns
    42A
    4V
    TO-220AB
    20V
    100V
    200 mJ
    4 V
    15.75mm
    10.28mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP47N10SL26AKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3
    -
    通孔
    TO-220-3
    NO
    -
    -
    SILICON
    47A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2001
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    -
    N-Channel
    26m Ω @ 33A, 10V
    2V @ 2mA
    2500pF @ 25V
    135nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    -
    -
    TO-220AB
    -
    -
    400 mJ
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    SIPMOS®
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    SINGLE
    未说明
    compliant
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    100V
    47A
    0.04Ohm
    188A
    100V
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