Infineon Technologies IPP16CN10LGXKSA1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

54A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

100W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

OptiMOS™

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

逻辑电平兼容

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

100W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

15.7m Ω @ 54A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.4V @ 61μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4190pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

44nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

54A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

RoHS状态

符合RoHS标准