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首页 全部分类 NTQS6463R2 vs FDW2511NZ

NTQS6463R2备选型号: FDW2511NZ

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
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  • 无铅
  • 供应商器件包装
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  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 功率 - 最大
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 阈值电压
  • 输入电容
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NTQS6463R2
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP
    OBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
    8
    SILICON
    6.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e0
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin/Lead (Sn90Pb10)
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    -20V
    DUAL
    鸥翼
    240
    not_compliant
    -6.8A
    30
    8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.39W
    P-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 6.8A, 4.5V
    900mV @ 250μA
    50nC @ 5V
    22ns
    20V
    ±12V
    22 ns
    6.8A
    12V
    5.5A
    0.02Ohm
    -20V
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDW2511NZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 7.1A 8TSSOP
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
    8
    -
    7.1A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    20V
    -
    -
    -
    -
    7.1A
    -
    -
    -
    -
    -
    1.6W
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    -
    20mOhm @ 7.1A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    17.3nC @ 4.5V
    84ns
    20V
    -
    84 ns
    7.1A
    12V
    -
    -
    20V
    符合RoHS标准
    无铅
    8-TSSOP
    PowerTrench®
    150°C
    -55°C
    1.6W
    1.6W
    1000pF @ 10V
    800mV
    1nF
    逻辑电平门
    20mOhm
    20 mΩ
    无SVHC
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