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首页 全部分类 NTTFS4930NTAG vs IRF7902TRPBF

NTTFS4930NTAG备选型号: IRF7902TRPBF

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  • 辐射硬化
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  • 无铅
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  • 系列
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  • 电阻
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 功率 - 最大
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    NTTFS4930NTAG
    ON Semiconductor
    Single N-Channel Power MOSFET 30V, 23A, 23mO
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    YES
    8
    SILICON
    4.5A Ta 23A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    8
    S-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    2.06W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    23m Ω @ 6A, 10V
    2.2V @ 250μA
    476pF @ 15V
    5.5nC @ 4.5V
    26.6ns
    ±20V
    3.6 ns
    9.6A
    20V
    7.2A
    0.03Ohm
    30V
    45A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7902TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    8
    SILICON
    6.4A 9.7A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1999
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    Matte Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    -
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    -
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    22.6m Ω @ 6.4A, 10V
    2.25V @ 25μA
    580pF @ 15V
    6.9nC @ 4.5V
    -
    -
    -
    9.7A
    20V
    -
    -
    30V
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    HEXFET®
    EAR99
    22.6MOhm
    2W
    IRF7902PBF
    1.4W 2W
    7.3 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
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IRFTS8342TRPBF IRFTS8342TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SOT-23-6 MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP 对比