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首页 全部分类 NTTFS4941NTAG vs NTMFS4925NT1G

NTTFS4941NTAG备选型号: NTMFS4925NT1G

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  • 箱体转运
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    NTTFS4941NTAG
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    YES
    8
    SILICON
    8.3A Ta 46A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    8
    S-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.2m Ω @ 20A, 10V
    2.2V @ 250μA
    1619pF @ 15V
    22.8nC @ 10V
    21ns
    30V
    ±20V
    3 ns
    46A
    20V
    0.009Ohm
    30V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMFS4925NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET TRENCH 3.1 30V 6 M Ohm NCH
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    YES
    5
    SILICON
    9.7A Ta 48A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    5
    -
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    9.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.6m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    1264pF @ 15V
    21.5nC @ 10V
    32.7ns
    -
    ±20V
    6.2 ns
    48A
    20V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    16 Weeks
    未说明
    not_compliant
    未说明
    不合格
    23.2W
    9.7A
    30V
    1.1mm
    5.1mm
    6.1mm
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