ON Semiconductor NTMFS4955NT1G

工厂交货时间

16 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN, 5 Leads

表面安装

YES

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.7A Ta 48A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

920mW Ta 23.2W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.2V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

电阻

6MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.7W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6m Ω @ 30A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1264pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10.8nC @ 4.5V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

48A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9.7A

漏源击穿电压

30V

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅