ON Semiconductor NTMFS4C09NT1G
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NTMFS4C09NT1G
1807-NTMFS4C09NT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
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MOSFET T6 LC SO8FL
--最小包装量--
NTMFS4C09NT1G详情
ON Semiconductor NTMFS4C09NT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
表面安装
YES
引脚数
5
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
760mW Ta 25.5W Tc
Turn Off Delay Time
20 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
5
元素配置
Single
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.8m Ω @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1252pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10.9nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
52A
阈值电压
2.1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
高度
1.05mm
长度
6.1mm
宽度
5.1mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NTMFS4C09NT1G拓展信息
ON Semiconductor
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