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首页 全部分类 NTZD3152PT1H vs DMP2004VK-7

NTZD3152PT1H备选型号: DMP2004VK-7

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  • 终止次数
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  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 底架
  • 电阻
  • 基本部件号
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    NTZD3152PT1H
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 20V 0.43A T/R
    15 Weeks
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    YES
    6
    8.193012mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    ESD PROTECTION, LOW THRESHOLD
    250mW
    FLAT
    未说明
    未说明
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    280mW
    10 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    900m Ω @ 430mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    175pF @ 16V
    2.5nC @ 4.5V
    12ns
    20V
    19 ns
    430mA
    6V
    0.43A
    0.9Ohm
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP2004VK-7
    Diodes Incorporated
    Dual P-Channel 20 V 900 mOhm Enhancement Mode Mosfet - SOT-563
    16 Weeks
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    -
    6
    3.005049mg
    SILICON
    2
    -65°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    ESD PROTECTION, LOW THRESHOLD
    400mW
    FLAT
    260
    40
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    400mW
    -
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    900m Ω @ 430mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    175pF @ 16V
    -
    -
    20V
    -
    530mA
    8V
    0.53A
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    900mOhm
    DMP2004VK
    -20V
    600μm
    1.6mm
    1.2mm
    无SVHC
    无
    无铅
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