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首页 全部分类 NTZD3154NT2G vs NTZD3155CT1G

NTZD3154NT2G备选型号: NTZD3155CT1G

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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 电阻
  • 额定电流
  • 接通延迟时间
  • 极性/通道类型
  • 阈值电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTZD3154NT2G
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    YES
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    250mW
    FLAT
    260
    40
    NTZD3154N
    6
    不合格
    Dual
    增强型MOSFET
    250mW
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    550m Ω @ 540mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    150pF @ 16V
    2.5nC @ 4.5V
    4ns
    20V
    4 ns
    540mA
    6V
    0.54A
    0.55Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    20 pF
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTZD3155CT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    YES
    6
    SILICON
    540mA 430mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    250mW
    FLAT
    260
    40
    NTZD3155C
    6
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    250mW
    N and P-Channel
    SWITCHING
    550m Ω @ 540mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    150pF @ 16V
    2.5nC @ 4.5V
    12ns
    20V
    12 ns
    540mA
    6V
    0.54A
    -
    -20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    Tin
    500mOhm
    540mA
    10 ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    1V
    600μm
    1.7mm
    1.3mm
    无SVHC
    无
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