NTZD3156CT1G备选型号: DMN2004VK-7
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 质量
- 电阻
- 附加功能
- 基本部件号
- 接通延迟时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET 20/6V Comp w/100K G-S ResistorsLAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-6666SILICON540mA 430mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2007e3yesObsolete1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)250mWFLAT未说明未说明6不合格Dual增强型MOSFET280mWN and P-ChannelSWITCHING550m Ω @ 540mA, 4.5V1V @ 250μA72pF @ 16V2.5nC @ 4.5V6.5nsN-CHANNEL AND P-CHANNEL19.5 ns540mA6V0.54A0.55Ohm20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门符合RoHS标准无铅------------
- Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R-表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-6666SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Matte Tin (Sn)250mWFLAT260406-Dual增强型MOSFET250mW2 N-Channel (Dual)SWITCHING550m Ω @ 540mA, 4.5V1V @ 250μA150pF @ 16V-13.3ns-36.1 ns540mA8V0.54A-20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门ROHS3 Compliant无铅16 Weeks3.005049mg550mOhmESD PROTECTION, HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLDDMN2004VK8 ns20V600μm1.6mm1.2mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN2004VK-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | 对比 |
![]() | DMG1016V-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563 | 对比 |



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