NTZD3158PT1G备选型号: DMP2004VK-7
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 操作模式
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 无铅代码
- 终止次数
- 电阻
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT5632 Weeks表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-666150°CTape & Reel (TR)2016e3活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)250mW增强型MOSFET250mW2 P-Channel (Dual)900m Ω @ 430mA, 4.5V1V @ 250μA175pF @ 16V2.5nC @ 4.5V20V430mA0.43AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant------------------------
- Dual P-Channel 20 V 900 mOhm Enhancement Mode Mosfet - SOT-56316 Weeks表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-6662Tape & Reel (TR)2012e3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)400mW增强型MOSFET-2 P-Channel (Dual)900m Ω @ 430mA, 4.5V1V @ 250μA175pF @ 16V-20V530mA0.53AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门ROHS3 Compliant63.005049mgSILICON-65°C~150°C TJyes6900mOhmESD PROTECTION, LOW THRESHOLDFLAT26040DMP2004VK6Dual400mWSWITCHING8V-20V600μm1.6mm1.2mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMG1023UV-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | DMG1023UV Series 20 V 0.75 Ohm Dual P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-563 | 对比 |
![]() | DMP2004VK-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | Dual P-Channel 20 V 900 mOhm Enhancement Mode Mosfet - SOT-563 | 对比 |



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