您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 NVB5404NT4G vs FDB8443

NVB5404NT4G备选型号: FDB8443

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 安装类型
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 系列
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • ON Semiconductor
    NVB5404NT4G
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
    LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)
    25 Weeks
    D2PAK
    YES
    3
    1
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    175°C
    -55°C
    5.4W
    鸥翼
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    5.4W
    DRAIN
    10 ns
    SWITCHING
    65ns
    40V
    N-CHANNEL
    85 ns
    24A
    20V
    0.0045Ohm
    670A
    7nF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    4.5 mΩ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDB8443
    ON Semiconductor
    MOSFET 40V N-Channel PowerTrench
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8 Weeks
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    -
    3
    25A Ta 120A Tc
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    188W
    DRAIN
    18.4 ns
    SWITCHING
    17.9ns
    -
    -
    13.5 ns
    25A
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    表面贴装
    表面贴装
    1.31247g
    SILICON
    -55°C~175°C TJ
    PowerTrench®
    未说明
    not_compliant
    未说明
    不合格
    N-Channel
    3m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 250μA
    9310pF @ 25V
    185nC @ 10V
    ±20V
    80A
    40V
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDB8870 FDB8870 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R 对比
STB120N4LF6 STB120N4LF6 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R 对比
FDB8443 FDB8443 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET 40V N-Channel PowerTrench 对比