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首页 全部分类 NVB5404NT4G vs FDB8870

NVB5404NT4G备选型号: FDB8870

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  • 质量
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  • 额定电流
  • 场效应管类型
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  • Vgs（最大值）
  • 漏源击穿电压
  • ON Semiconductor
    NVB5404NT4G
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
    LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)
    25 Weeks
    D2PAK
    YES
    3
    1
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    175°C
    -55°C
    5.4W
    鸥翼
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    5.4W
    DRAIN
    10 ns
    SWITCHING
    65ns
    40V
    N-CHANNEL
    85 ns
    24A
    20V
    0.0045Ohm
    670A
    7nF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    4.5 mΩ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDB8870
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    10 Weeks
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    -
    3
    23A Ta 160A Tc
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    160W
    DRAIN
    10 ns
    SWITCHING
    98ns
    -
    -
    47 ns
    35A
    20V
    0.0044Ohm
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    表面贴装
    1.31247g
    SILICON
    -55°C~175°C TJ
    PowerTrench®
    30V
    160A
    N-Channel
    3.9m Ω @ 35A, 10V
    2.5V @ 250μA
    5200pF @ 15V
    132nC @ 10V
    ±20V
    30V
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