NVB5404NT4G备选型号: IRF1404ZSTRLPBF

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  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 安装类型
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 系列
  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs(最大值)
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
    LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)
    25 Weeks
    D2PAK
    YES
    3
    1
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    175°C
    -55°C
    5.4W
    鸥翼
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    5.4W
    DRAIN
    10 ns
    SWITCHING
    65ns
    40V
    N-CHANNEL
    85 ns
    24A
    20V
    0.0045Ohm
    670A
    7nF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    4.5 mΩ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 190 A, 40 V, 3-Pin D2PAK Infineon IRF1404ZSPBF
    -
    12 Weeks
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    -
    3
    180A Tc
    Tape & Reel (TR)
    2003
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    -
    -
    -
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    200W
    DRAIN
    18 ns
    SWITCHING
    110ns
    -
    -
    58 ns
    190A
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    表面贴装
    表面贴装
    SILICON
    -55°C~175°C TJ
    HEXFET®
    3.7MOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
    40V
    260
    75A
    30
    N-Channel
    3.7m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 150μA
    4340pF @ 25V
    150nC @ 10V
    ±20V
    4V
    40V
    42 ns
    4 V
    4.826mm
    10.668mm
    9.65mm
    无SVHC
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