您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 NVD5117PLT4G vs NTD3055L104T4G

NVD5117PLT4G备选型号: NTD3055L104T4G

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 生命周期状态
  • 表面安装
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 已出版
  • 包装
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 分段数
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 晶体管应用
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    NVD5117PLT4G
    ON Semiconductor
    Single P-Channel Power MOSFET -60V, -61A, 16mO
    19 Weeks
    LIFETIME (Last Updated: 6 days ago)
    YES
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    Tin
    3
    SILICON
    50 ns
    Automotive, AEC-Q101
    2009
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    鸥翼
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    4.1W
    DRAIN
    22 ns
    P-Channel
    16m Ω @ 29A, 10V
    2.5V @ 250μA
    4.8nF @ 25V
    85nC @ 10V
    195ns
    60V
    ±20V
    132 ns
    11A
    -1.5V
    20V
    0.022Ohm
    60V
    240 mJ
    80
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD3055L104T4G
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    8 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    YES
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    -
    3
    SILICON
    12A Ta
    -
    2004
    Cut Tape (CT)
    -55°C~175°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    鸥翼
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    48W
    DRAIN
    9.2 ns
    N-Channel
    104m Ω @ 6A, 5V
    2V @ 250μA
    440pF @ 25V
    20nC @ 5V
    104ns
    -
    ±15V
    40.5 ns
    12A
    1.6V
    15V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    104MOhm
    Tin (Sn)
    60V
    260
    12A
    40
    SWITCHING
    60V
    45A
    1.6 V
    2.38mm
    6.73mm
    6.22mm
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R 对比