NVD5862NT4G备选型号: NTD5867NLT4G
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 电阻
- 附加功能
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 栅源电压
- 关断时间-最大值(toff)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 60V 90A DPAK-4LIFETIME (Last Updated: 1 day ago)16 Weeks表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63YES3SILICON18A Ta 98A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2010e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)鸥翼3R-PSSO-G2Single增强型MOSFET4.1WDRAIN18 nsN-Channel5.7m Ω @ 48A, 10V4V @ 250μA6000pF @ 25V82nC @ 10V70ns60V±20V60 ns18A20V98A0.0057Ohm60V205 mJ无ROHS3 Compliant无铅------------
- Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/RACTIVE (Last Updated: 2 days ago)8 Weeks表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63YES4SILICON20A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2007e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99-鸥翼4R-PSSO-G2Single增强型MOSFET36WDRAIN6.5 nsN-Channel39m Ω @ 10A, 10V2.5V @ 250μA675pF @ 25V15nC @ 10V12.6ns-±20V2.4 ns20A20V----无ROHS3 Compliant无铅Tin39MOhm雪崩 额定1.8V60V76A1.8 V20.6ns2.38mm6.73mm6.22mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDD86540 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 50 A, 136 A, 60 V, 3-Pin DPAK ON Semiconductor FDD86540 | 对比 |
| NVD5867NLT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET NFET 60V 18A 43MOHM | 对比 |




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