ON Semiconductor NVD5862NT4G

生命周期状态

LIFETIME (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

16 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A Ta 98A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

4.1W Ta 115W Tc

Turn Off Delay Time

35 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

4.1W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.7m Ω @ 48A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

82nC @ 10V

上升时间

70ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

60 ns

连续放电电流(ID)

18A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

98A

漏极-源极导通最大电阻

0.0057Ohm

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

205 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅