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首页 全部分类 NVD5867NLT4G vs NTD5414NT4G

NVD5867NLT4G备选型号: NTD5414NT4G

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  • 引脚数量
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  • 元素配置
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  • 功率耗散
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • DS 击穿电压-最小值
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  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 晶体管应用
  • 漏源击穿电压
  • ON Semiconductor
    NVD5867NLT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET 60V 18A 43MOHM
    LIFETIME (Last Updated: 4 hours ago)
    48 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    YES
    4
    SILICON
    6A Ta 22A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2010
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    4
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    3.3W
    DRAIN
    6.5 ns
    N-Channel
    39m Ω @ 11A, 10V
    2.5V @ 250μA
    675pF @ 25V
    15nC @ 10V
    12.6ns
    60V
    ±20V
    2.4 ns
    22A
    20V
    6A
    0.05Ohm
    85A
    60V
    2.38mm
    6.73mm
    6.22mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD5414NT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET 30A, 60V, 42mOhms N-Channel
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
    -
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    YES
    4
    SILICON
    24A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    4
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    55W
    DRAIN
    -
    N-Channel
    37m Ω @ 24A, 10V
    4V @ 250μA
    1200pF @ 25V
    48nC @ 10V
    58ns
    -
    ±20V
    69 ns
    24A
    20V
    -
    0.037Ohm
    75A
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    260
    40
    不合格
    SWITCHING
    60V
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