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首页 全部分类 NVD5867NLT4G vs STD16NF06T4

NVD5867NLT4G备选型号: STD16NF06T4

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  • 元素配置
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  • 功率耗散
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
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  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NVD5867NLT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET 60V 18A 43MOHM
    LIFETIME (Last Updated: 4 hours ago)
    48 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    YES
    4
    SILICON
    6A Ta 22A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2010
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    4
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    3.3W
    DRAIN
    6.5 ns
    N-Channel
    39m Ω @ 11A, 10V
    2.5V @ 250μA
    675pF @ 25V
    15nC @ 10V
    12.6ns
    60V
    ±20V
    2.4 ns
    22A
    20V
    6A
    0.05Ohm
    85A
    60V
    2.38mm
    6.73mm
    6.22mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD16NF06T4
    STMicroelectronics
    MOSFET N Ch 60V 0.060 Ohm 16A
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    -
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    3
    SILICON
    16A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ II
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    鸥翼
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    40W
    DRAIN
    4 ns
    N-Channel
    70m Ω @ 8A, 10V
    2V @ 250μA
    400pF @ 15V
    14.1nC @ 10V
    15ns
    -
    ±20V
    5.5 ns
    16A
    20V
    -
    -
    64A
    -
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    70MOhm
    60V
    260
    16A
    30
    STD16
    AMPLIFIER
    2V
    60V
    无SVHC
  • 添加型号
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