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首页 全部分类 NVD6495NLT4G vs IRFR3410TRPBF

NVD6495NLT4G备选型号: IRFR3410TRPBF

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  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NVD6495NLT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET DPAK 100V 23A 56MOHM
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    25A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2014
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    260
    not_compliant
    10
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    50m Ω @ 10A, 10V
    2V @ 250μA
    1.024nF @ 25V
    35nC @ 10V
    91ns
    ±20V
    71 ns
    25A
    20V
    0.054Ohm
    100V
    80A
    79 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFR3410TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    31A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    -
    鸥翼
    260
    -
    30
    R-PSSO-G2
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    39m Ω @ 18A, 10V
    4V @ 250μA
    1690pF @ 25V
    56nC @ 10V
    27ns
    ±20V
    13 ns
    31A
    20V
    -
    100V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    3
    SMD/SMT
    EAR99
    39MOhm
    100V
    31A
    Single
    110W
    SWITCHING
    4V
    TO-252AA
    100V
    4 V
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
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STD20NF10T4 STD20NF10T4 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-Ch 100 Volt 25 Amp 对比