ON Semiconductor NVD6495NLT4G

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

20 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

25A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

83W Tc

Turn Off Delay Time

40 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2014

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

50m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1.024nF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35nC @ 10V

上升时间

91ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

71 ns

连续放电电流(ID)

25A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.054Ohm

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80A

雪崩能量等级（Eas）

79 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅