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NVDD5894NLT4G备选型号: DMPH4015SK3Q-13
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
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- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- Reach合规守则
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 系列
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET NFET DPAK 40V 64A 10 MOHMLIFETIME (Last Updated: 11 hours ago)6 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD5329.988449mg14A-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2013e3yesObsolete1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)3.8Wnot_compliant12.4 ns2 N-Channel (Dual) Common Drain10m Ω @ 50A, 10V2.5V @ 250μA2103pF @ 25V41nC @ 10V30.2ns54 ns64A20V40VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant无铅--------------------
MOSFET PCH 40V 14A TO252-15 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD--14A Ta 45A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2016e3-活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)-not_compliant-P-Channel11m Ω @ 9.8A, 10V2.5V @ 250μA4234pF @ 20V91nC @ 10V--45A----ROHS3 Compliant-SILICONAutomotive, AEC-Q1012HIGH RELIABILITYSINGLE鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING40V±25V14A0.015Ohm100A40V260 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDD8424H-F085A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK | 对比 |
| DMNH3010LK3-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | MOSFET NCH 30V 15A TO252 | 对比 |
| DMTH3004LK3Q-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | MOSFET NCH 30V 21A TO252 | 对比 |
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