ON Semiconductor FDD8424H-F085A

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

引脚数

5

质量

260.37mg

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A 6.5A

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2006

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

1.3W

基本部件号

FDD8424

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

30W

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

N and P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

24m Ω @ 9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1000pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 10V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

6.5A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

20A

漏源击穿电压

40V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准