NVMD3P03R2G备选型号: MMDF2C03HDR2G
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 引脚数量
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 安装类型
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 终止次数
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 资历状况
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 达到SVHC
- MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOICACTIVE (Last Updated: 1 week ago)6 Weeks表面贴装SOIC8540.001716mgTape & Reel (TR)2006e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)150°C-55°C730mW830V2.34A20V-30V750pF85mOhm85 mΩ无ROHS3 Compliant无铅------------------------------
- MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOICOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)-表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-Tape & Reel (TR)2006e3yesObsolete1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)--2W8-4.1A20V30V----符合RoHS标准无铅表面贴装SILICON4.1A 3A-55°C~150°C TJ830VDUAL鸥翼260unknown2A40MMDF2C03HD不合格增强型MOSFET2WN and P-ChannelSWITCHING70m Ω @ 3A, 10V3V @ 250μA630pF @ 24V16nC @ 10V18nsN-CHANNEL AND P-CHANNEL194 ns1.7V0.07OhmMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7309TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC | 对比 |
| NTMS3P03R2G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC | 对比 | |
| NTMS3P03R2 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC | 对比 |



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