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首页 全部分类 NVMD6P02R2G vs IRF7317TRPBF

NVMD6P02R2G备选型号: IRF7317TRPBF

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  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    NVMD6P02R2G
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 20V 7.8A T/R
    25 Weeks
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    YES
    8
    150°C
    Tape & Reel (TR)
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    750mW
    Dual
    2 P-Channel (Dual)
    33m Ω @ 6.2A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    1700pF @ 16V
    35nC @ 4.5V
    20V
    4.8A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7317TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    8
    6.6A 5.3A
    Tape & Reel (TR)
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    2W
    -
    N and P-Channel
    29m Ω @ 6A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    900pF @ 15V
    27nC @ 4.5V
    -
    6.6A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    HEXFET®
    1997
    8
    29mOhm
    AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
    DUAL
    鸥翼
    6.6A
    IRF7317PBF
    增强型MOSFET
    2W
    SWITCHING
    40ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    49 ns
    700mV
    12V
    20V
    100 mJ
    700 mV
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    无铅
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