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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.740996
10
¥4.472637
100
¥4.219472
500
¥3.98063
1000
¥3.75531
ON Semiconductor NVMD6P02R2G
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- 对比
NVMD6P02R2G
1807-NVMD6P02R2G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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Trans MOSFET P-CH 20V 7.8A T/R
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¥
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NVMD6P02R2G详情
ON Semiconductor NVMD6P02R2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
25 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
引脚数
8
Operating Temperature (Max.)
150°C
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
750mW
元素配置
Dual
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
33m Ω @ 6.2A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1700pF @ 16V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
35nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
连续放电电流(ID)
4.8A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NVMD6P02R2G拓展信息









哦! 它是空的。