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首页 全部分类 NVMFD5483NLT1G vs DMN6040SFDE-7

NVMFD5483NLT1G备选型号: DMN6040SFDE-7

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  • 附加功能
  • 端子位置
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  • 配置
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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NVMFD5483NLT1G
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 60V 6.4A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
    6 Weeks
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    8
    37.5 ns
    2014
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    3.1W
    8
    Dual
    3.1W
    6.8 ns
    2 N-Channel (Dual)
    36m Ω @ 15A, 10V
    2.5V @ 250μA
    无卤素
    668pF @ 25V
    23.4nC @ 10V
    10.3ns
    60V
    23.5 ns
    6.4A
    20V
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN6040SFDE-7
    Diodes Incorporated
    Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R
    17 Weeks
    -
    6-UDFN Exposed Pad
    表面贴装
    6
    5.3A Ta
    2012
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    -
    -
    -
    2.03W
    6.6 ns
    N-Channel
    38m Ω @ 4.3A, 10V
    3V @ 250μA
    -
    1287pF @ 25V
    22.4nC @ 10V
    8.1ns
    -
    4 ns
    5.3A
    20V
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    无铅
    表面贴装
    SILICON
    3
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    无铅
    260
    40
    S-PDSO-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    ±20V
    0.038Ohm
    60V
    580μm
    2.05mm
    2.05mm
    无SVHC
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