ON Semiconductor NVMFS5826NLT3G

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

38 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

表面安装

YES

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.6W Ta 39W Tc

Turn Off Delay Time

15 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

5

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.6W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

24m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

850pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 10V

上升时间

32ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

24 ns

连续放电电流(ID)

8A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

26A

漏极-源极导通最大电阻

0.032Ohm

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

20 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅