NVMFD5489NLT1G备选型号: DMN62D0LFB-7
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 生命周期状态
- 表面安装
- 包装/外壳
- 安装类型
- 引脚数
- 质量
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 引脚数量
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 无铅
- 触点镀层
- 底架
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- Vgs(最大值)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 达到SVHC
- Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin DFN T/R6 WeeksACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)YES8-PowerTDFN表面贴装837.393021mg4.5A2014Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJe3yes不用于新设计1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)3W82Dual7 ns2 N-Channel (Dual)65m Ω @ 15A, 10V2.5V @ 250μA无卤素330pF @ 25V12.4nC @ 10V11ns60V21 ns12A20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门ROHS3 Compliant无无铅---------------
- Trans MOSFET N-CH 60V 0.1A Automotive 3-Pin DFN T/R16 Weeks--3-UFDFN表面贴装3-100mA Ta2011Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJe4yes活跃1 (Unlimited)EAR99--31Single3.4 nsN-Channel2 Ω @ 100mA, 4V1V @ 250μA-32pF @ 25V0.45nC @ 4.5V3.4ns60V16.3 ns100mA20V--ROHS3 Compliant无无铅Gold表面贴装SILICON3HIGH RELIABILITYBOTTOM增强型MOSFET470mWDRAINSWITCHING±20V2Ohm60V6 pF无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN62D0LFB-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-UFDFN | Trans MOSFET N-CH 60V 0.1A Automotive 3-Pin DFN T/R | 对比 |
| NVMFS5844NLT3G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN, 5 Leads | MOSFET N-CH 60V 8SOIC | 对比 | |
| NVMFS5844NLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET SO8FL 60V | 对比 |



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