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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.373681
10
¥6.012908
100
¥5.672556
500
¥5.351468
1000
¥5.048554
ON Semiconductor NVMFD5489NLT1G
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- 对比
NVMFD5489NLT1G
1807-NVMFD5489NLT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerTDFN
大陆
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Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin DFN T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NVMFD5489NLT1G详情
ON Semiconductor NVMFD5489NLT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
生命周期状态
ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)
表面安装
YES
包装/外壳
8-PowerTDFN
安装类型
表面贴装
引脚数
8
质量
37.393021mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.5A
Turn Off Delay Time
31 ns
已出版
2014
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~175°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
3W
引脚数量
8
通道数量
2
元素配置
Dual
接通延迟时间
7 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
65m Ω @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
330pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
12.4nC @ 10V
上升时间
11ns
漏源电压 (Vdss)
60V
下降时间(典型值)
21 ns
连续放电电流(ID)
12A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
无铅
无铅
NVMFD5489NLT1G拓展信息








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