您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 NVMFD5877NLT1G vs DMN6040SFDE-7

NVMFD5877NLT1G备选型号: DMN6040SFDE-7

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 通道数量
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • ON Semiconductor
    NVMFD5877NLT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET 16-128MHZ3.3VGPEMI
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 day ago)
    13 Weeks
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    YES
    8
    SILICON
    6A
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    39MOhm
    Tin (Sn)
    3.2W
    FLAT
    8
    R-PDSO-F6
    Dual
    增强型MOSFET
    23W
    DRAIN
    8.1 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    39m Ω @ 7.5A, 10V
    3V @ 250μA
    无卤素
    540pF @ 25V
    20nC @ 10V
    17A
    3V
    20V
    6A
    60V
    74A
    10.5 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.05mm
    6.1mm
    5.1mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN6040SFDE-7
    Diodes Incorporated
    Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R
    -
    17 Weeks
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    -
    6
    SILICON
    5.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    -
    无铅
    -
    S-PDSO-N3
    -
    增强型MOSFET
    2.03W
    DRAIN
    6.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    38m Ω @ 4.3A, 10V
    3V @ 250μA
    -
    1287pF @ 25V
    22.4nC @ 10V
    5.3A
    -
    20V
    -
    60V
    -
    -
    -
    -
    580μm
    2.05mm
    2.05mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    260
    40
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    8.1ns
    ±20V
    4 ns
    0.038Ohm
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
DMN62D0LFB-7 DMN62D0LFB-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 3-UFDFN Trans MOSFET N-CH 60V 0.1A Automotive 3-Pin DFN T/R 对比
DMN6070SFCL-7 DMN6070SFCL-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 6-PowerUFDFN MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN 对比
DMN6040SFDE-7 DMN6040SFDE-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 6-UDFN Exposed Pad Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R 对比