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首页 全部分类 NVMFD5877NLT3G vs DMN62D0LFB-7

NVMFD5877NLT3G备选型号: DMN62D0LFB-7

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  • 箱体转运
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 宽度
  • 辐射硬化
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  • 无铅
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  • 底架
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 通道数量
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NVMFD5877NLT3G
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 10 hours ago)
    13 Weeks
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    YES
    8
    SILICON
    6A
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    3.2W
    FLAT
    8
    R-PDSO-F6
    Dual
    增强型MOSFET
    23W
    DRAIN
    8.1 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    39m Ω @ 7.5A, 10V
    3V @ 250μA
    无卤素
    540pF @ 25V
    20nC @ 10V
    60V
    17A
    20V
    6A
    0.06Ohm
    74A
    60V
    10.5 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.05mm
    6.1mm
    5.1mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN62D0LFB-7
    Diodes Incorporated
    Trans MOSFET N-CH 60V 0.1A Automotive 3-Pin DFN T/R
    -
    16 Weeks
    表面贴装
    3-UFDFN
    -
    3
    SILICON
    100mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    470mW
    DRAIN
    3.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2 Ω @ 100mA, 4V
    1V @ 250μA
    -
    32pF @ 25V
    0.45nC @ 4.5V
    60V
    100mA
    20V
    -
    2Ohm
    -
    60V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Gold
    表面贴装
    HIGH RELIABILITY
    BOTTOM
    1
    3.4ns
    ±20V
    16.3 ns
    6 pF
    无SVHC
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