NVMFD5877NLWFT1G备选型号: NTMFS5C646NLT1G
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- Dual N-Channel Logic Level Power MOSFET 60V, 17A, 39mOACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)13 WeeksTin表面贴装8-PowerTDFNYES8SILICON6A-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2013e3yes不用于新设计1 (Unlimited)6EAR993.2WFLAT8AEC-Q101R-PDSO-F6Dual增强型MOSFET3.2WDRAIN2 N-Channel (Dual)39m Ω @ 7.5A, 10V3V @ 250μA无卤素540pF @ 25V20nC @ 10V60V17A20V6A0.06Ohm74A60V40 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无ROHS3 Compliant无铅-----------------
- ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C646NLT1GMOSFET Transistor, N Channel, 19 A, 60 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2 VACTIVE (Last Updated: 1 day ago)16 Weeks-表面贴装8-PowerTDFN-8SILICON19A Ta-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2014e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99-FLAT--R-PDSO-F5Single增强型MOSFET-DRAINN-Channel4.7m Ω @ 50A, 10V2V @ 250μA-2164pF @ 25V33.7nC @ 10V-19A20V-0.0063Ohm750A-----ROHS3 Compliant无铅表面贴装Tin (Sn)DUAL未说明not_compliant未说明110.4 ns14.9ns±20V5.1 ns2V60V1.05mm6.1mm5.1mm无SVHC
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NVMFD5485NLT3G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 8-Pin DFN EP T/R | 对比 | |
![]() | DMN6040SFDE-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R | 对比 |
| NVMFD5875NLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerTDFN | MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL | 对比 |



哦! 它是空的。