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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.522124
10
¥8.039742
100
¥7.584664
500
¥7.155339
1000
¥6.750317
ON Semiconductor NVMFD5875NLT1G
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- 对比
NVMFD5875NLT1G
1807-NVMFD5875NLT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerTDFN
大陆
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MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NVMFD5875NLT1G详情
ON Semiconductor NVMFD5875NLT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
13 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
3.2W
Reach合规守则
not_compliant
功率 - 最大
3.2W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
33m Ω @ 7.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
540pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
连续放电电流(ID)
7A
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NVMFD5875NLT1G拓展信息










哦! 它是空的。