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首页 全部分类 NVMFD5877NLWFT1G vs NVMFD5485NLT3G

NVMFD5877NLWFT1G备选型号: NVMFD5485NLT3G

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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
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  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • ON Semiconductor
    NVMFD5877NLWFT1G
    ON Semiconductor
    Dual N-Channel Logic Level Power MOSFET 60V, 17A, 39mO
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)
    13 Weeks
    Tin
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    YES
    8
    SILICON
    6A
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    3.2W
    FLAT
    8
    AEC-Q101
    R-PDSO-F6
    Dual
    增强型MOSFET
    3.2W
    DRAIN
    2 N-Channel (Dual)
    39m Ω @ 7.5A, 10V
    3V @ 250μA
    无卤素
    540pF @ 25V
    20nC @ 10V
    60V
    17A
    20V
    6A
    0.06Ohm
    74A
    60V
    40 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVMFD5485NLT3G
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
    6 Weeks
    -
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    -
    8
    -
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    2.9W
    -
    8
    -
    -
    Dual
    -
    2.9W
    -
    2 N-Channel (Dual)
    44m Ω @ 15A, 10V
    2.5V @ 250μA
    无卤素
    560pF @ 25V
    20nC @ 10V
    60V
    5.3A
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin (Sn)
    9.5 ns
    26.6ns
    23.7 ns
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