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首页 全部分类 NVMFS4841NT1G vs IRF8113GPBF

NVMFS4841NT1G备选型号: IRF8113GPBF

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  • 引脚数量
  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 系列
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NVMFS4841NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET Single N-Channel 30V,89A,7mOhm
    LIFETIME (Last Updated: 4 days ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    5
    SILICON
    16A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    5
    Single
    增强型MOSFET
    112W
    DRAIN
    13.5 ns
    N-Channel
    7m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 250μA
    无卤素
    1436pF @ 12V
    17nC @ 4.5V
    66.5ns
    ±20V
    7.5 ns
    16A
    20V
    89A
    30V
    336A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8113GPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    17.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2009
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2.5W
    -
    13 ns
    N-Channel
    5.6mOhm @ 17.2A, 10V
    2.2V @ 250μA
    -
    2910pF @ 15V
    36nC @ 4.5V
    8.9ns
    ±20V
    3.5 ns
    17.2A
    20V
    -
    30V
    -
    无
    符合RoHS标准
    -
    8-SO
    HEXFET®
    150°C
    -55°C
    30V
    2.91nF
    7.4mOhm
    5.6 mΩ
    2.2 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
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IRF8113GPBF IRF8113GPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO 对比