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首页 全部分类 NVMFS4841NT1G vs IRF8714TRPBF

NVMFS4841NT1G备选型号: IRF8714TRPBF

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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 系列
  • 电阻
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 晶体管应用
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NVMFS4841NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET Single N-Channel 30V,89A,7mOhm
    LIFETIME (Last Updated: 4 days ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    5
    SILICON
    16A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    5
    Single
    增强型MOSFET
    112W
    DRAIN
    13.5 ns
    N-Channel
    7m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 250μA
    无卤素
    1436pF @ 12V
    17nC @ 4.5V
    66.5ns
    ±20V
    7.5 ns
    16A
    20V
    89A
    30V
    336A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8714TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    14A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    -
    10 ns
    N-Channel
    8.7m Ω @ 14A, 10V
    2.35V @ 25μA
    -
    1020pF @ 15V
    12nC @ 4.5V
    9.9ns
    ±20V
    5 ns
    14A
    20V
    -
    30V
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    HEXFET®
    8.7MOhm
    260
    30
    SWITCHING
    65 mJ
    1.8 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
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