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NVMFS4C01NWFT3G备选型号: FDMS8050ET30
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 达到SVHC
- 无铅
- 质量
- 系列
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL38 Weeks8-PowerTDFN表面贴装表面贴装8SILICON49A Ta 319A Tc2.2V @ 250μA2014Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJe3yes不用于新设计1 (Unlimited)5Tin (Sn)DUALFLATAEC-Q101R-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-Channel0.9m Ω @ 30A, 10V10144pF @ 15V139nC @ 10V30V±20V319A0.00095Ohm900A30VROHS3 Compliantnot_compliant无铅------
MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN6 Weeks8-PowerTDFN表面贴装表面贴装8-55A Ta 423A Tc3V @ 750μA2017Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJe3yesACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)1 (Unlimited)-Tin (Sn)-------N-Channel0.65m Ω @ 55A, 10V22610pF @ 15V285nC @ 10V30V±20V423A---ROHS3 Compliantnot_compliant无铅56.5mgPowerTrench®EAR99260未说明Single- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS8050ET30 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN | 对比 |
| NTMFS4H01NT3G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 25V 54A SO8FL | 对比 |
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