ON Semiconductor NVMFS4C01NWFT3G

工厂交货时间

38 Weeks

包装/外壳

8-PowerTDFN

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

49A Ta 319A Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.2V @ 250μA

Power Dissipation (Max)

3.84W Ta 161W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

已出版

2014

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-F5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

0.9m Ω @ 30A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

10144pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

139nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

319A

漏极-源极导通最大电阻

0.00095Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

900A

DS 击穿电压-最小值

30V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

not_compliant

无铅

无铅