NVMFS4C03NT3G备选型号: DMTH3004LPS-13
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- ECCN 代码
- 附加功能
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 晶体管应用
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FLACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)38 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON31.4A Ta 143A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2014e3yes不用于新设计1 (Unlimited)5Tin (Sn)DUALFLATnot_compliantAEC-Q101R-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-Channel2.1m Ω @ 30A, 10V2.2V @ 250μA3071pF @ 15V45.2nC @ 10V30V±20V143A0.0024Ohm900A30V549 mJROHS3 Compliant无铅-------
- MOSFET NCH 30V 22A POWERDI-22 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON22A Ta 145A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2015e3-活跃1 (Unlimited)5Matte Tin (Sn)DUALFLATnot_compliant-R-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-Channel3.8m Ω @ 20A, 10V3V @ 250μA2370pF @ 15V43.7nC @ 10V30V+20V, -16V145A--30V110 mJROHS3 Compliant-Automotive, AEC-Q101EAR99HIGH RELIABILITY未说明未说明SWITCHING22A
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH8311TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-TQFN Exposed Pad | MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6 | 对比 |
| NTMFS4C03NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Single N-Channel Power MOSFET 30V, 136A, 2.1mO | 对比 | |
![]() | DMTH3004LPS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET NCH 30V 22A POWERDI | 对比 |




哦! 它是空的。