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首页 全部分类 NVMFS5113PLT1G vs NTB5412NT4G

NVMFS5113PLT1G备选型号: NTB5412NT4G

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  • JESD-30代码
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  • 通道数量
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • ON Semiconductor
    NVMFS5113PLT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 60V 64A SO8FL
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    10A Ta 64A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    not_compliant
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    150W
    DRAIN
    15 ns
    P-Channel
    14m Ω @ 17A, 10V
    2.5V @ 250μA
    4400pF @ 25V
    83nC @ 10V
    60V
    ±20V
    -10A
    -2.5V
    20V
    -60V
    175°C
    1.1mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTB5412NT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET D2PAK 60V 60A 14.0mOhm
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    60A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    -
    -
    增强型MOSFET
    125W
    DRAIN
    -
    N-Channel
    14m Ω @ 30A, 10V
    4V @ 250μA
    3220pF @ 25V
    -
    -
    ±20V
    60A
    -
    20V
    60V
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    EAR99
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    SWITCHING
    115ns
    89 ns
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