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'ntb5412nt4g'

2结果

category.单MOSFET晶体管 (2)

所有品牌

对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

晶体管元件材料

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

附加功能

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度（摄氏度）

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

资历状况

配置

元素配置

操作模式

功率耗散

箱体转运

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

上升时间

漏源电压 (Vdss)

Vgs（最大值）

下降时间（典型值）

连续放电电流(ID)

栅极至源极电压(Vgs)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

漏源击穿电压

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

DS 击穿电压-最小值

雪崩能量等级（Eas）

达到SVHC

RoHS状态

无铅

NTB5412NT4G

Rochester Electronics, LLC

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

YES

3

SILICON

1

125W Tc

10V

60A Tc

4V @ 250μA

-55°C~175°C TJ

Tape & Reel (TR)

e3

yes

Obsolete

1 (Unlimited)

2

哑光锡

雪崩额定

SINGLE

鸥翼

未说明

未说明

R-PSSO-G2

COMMERCIAL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

DRAIN

N-Channel

SWITCHING

14m Ω @ 30A, 10V

3.22pF @ 25V

60V

±20V

60A

0.014Ohm

155A

60V

180 mJ

unknown

ROHS3 Compliant

NTB5412NT4G

ON Semiconductor

23200 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

表面贴装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

3

SILICON

60A Tc

10V

1

125W Tc

41 ns

4V @ 250μA

-55°C~175°C TJ

Tape & Reel (TR)

2008

e3

yes

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)

1 (Unlimited)

2

EAR99

Tin (Sn)

雪崩额定

鸥翼

未说明

未说明

R-PSSO-G2

不合格

Single

增强型MOSFET

125W

DRAIN

N-Channel

SWITCHING

14m Ω @ 30A, 10V

3220pF @ 25V

115ns

±20V

89 ns

60A

20V

60V

符合RoHS标准

无铅