NVMFS5826NLT1G备选型号: DMT6016LSS-13
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 表面安装
- 引脚数
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 输入电容
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管技术
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 通道数量
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- 漏源击穿电压
- Power MOSFET 60V, 26A, 24 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)38 WeeksYES51Tape & Reel (TR)2013e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)175°C-55°C3.6WDUALFLAT未说明not_compliant未说明5Single增强型MOSFETDRAIN9 ns无卤素32ns60VN-CHANNEL24 ns8A20V26A0.032Ohm130A850pF20 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR24 mΩROHS3 Compliant无铅---------------
- MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC-23 Weeks-89.2A TaTape & Reel (TR)2014e3-活跃1 (Unlimited)8EAR99Matte Tin (Sn)---DUAL鸥翼未说明-未说明-Single增强型MOSFET-3.4 ns-5.2ns--7 ns9.2A20V7.5A-60A----ROHS3 Compliant无铅表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)73.992255mgSILICON-55°C~150°C TJ1N-ChannelSWITCHING18m Ω @ 10A, 10V2.5V @ 250μA864pF @ 30V17nC @ 10V±20V60V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMT6016LSS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC | 对比 |



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