ON Semiconductor NVMFS5826NLT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

38 Weeks

表面安装

YES

引脚数

5

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

15 ns

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

3.6W

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

5

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9 ns

无卤素

无卤素

上升时间

32ns

漏源电压 (Vdss)

60V

极性/通道类型

N-CHANNEL

下降时间（典型值）

24 ns

连续放电电流(ID)

8A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

26A

漏极-源极导通最大电阻

0.032Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

130A

输入电容

850pF

雪崩能量等级（Eas）

20 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大rds

24 mΩ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅