NVMFS5826NLT1G备选型号: NVTFS5826NLTAG

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 输入电容
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 场效应管技术
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • JESD-30代码
  • 功率耗散
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 漏源电阻
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    Power MOSFET 60V, 26A, 24 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    38 Weeks
    YES
    5
    1
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    175°C
    -55°C
    3.6W
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    5
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    9 ns
    无卤素
    32ns
    60V
    N-CHANNEL
    24 ns
    8A
    20V
    26A
    0.032Ohm
    130A
    850pF
    20 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    24 mΩ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVTFS5826NLTAG N-channel MOSFET Transistor; 20 A; 60 V; 8-Pin WDFN
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    18 Weeks
    YES
    8
    1
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    175°C
    -55°C
    3.2W
    DUAL
    FLAT
    -
    -
    -
    8
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    9 ns
    无卤素
    29ns
    60V
    N-CHANNEL
    21 ns
    7.6A
    20V
    20A
    -
    -
    850pF
    20 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    24 mΩ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    S-PDSO-F5
    22W
    2.5V
    60V
    24mOhm
    750μm
    3.15mm
    3.15mm
    无SVHC
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