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首页 全部分类 NVMFS5832NLT1G vs BSC030N04NSGATMA1

NVMFS5832NLT1G备选型号: BSC030N04NSGATMA1

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  • 场效应管技术
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  • 无铅
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
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  • 资历状况
  • 配置
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    NVMFS5832NLT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 day ago)
    38 Weeks
    YES
    5
    1
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    175°C
    -55°C
    3.7W
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    5
    Single
    增强型MOSFET
    3.7W
    DRAIN
    13 ns
    无卤素
    24ns
    40V
    N-CHANNEL
    8 ns
    21A
    20V
    0.0072Ohm
    2.7nF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    4.2 mΩ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC030N04NSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
    -
    26 Weeks
    YES
    -
    23A Ta 100A Tc
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    8
    -
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    -
    -
    -
    40V
    -
    -
    -
    -
    0.003Ohm
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    OptiMOS™
    R-PDSO-F5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    N-Channel
    SWITCHING
    3m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 49μA
    4900pF @ 20V
    61nC @ 10V
    ±20V
    23A
    400A
    40V
    115 mJ
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