ON Semiconductor NVMFS5832NLT1G
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NVMFS5832NLT1G
1807-NVMFS5832NLT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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MOSFET NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO
--最小包装量--
NVMFS5832NLT1G详情
ON Semiconductor NVMFS5832NLT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
38 Weeks
表面安装
YES
引脚数
5
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
27 ns
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
3.7W
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
5
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
3.7W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
13 ns
无卤素
无卤素
上升时间
24ns
漏源电压 (Vdss)
40V
极性/通道类型
N-CHANNEL
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
21A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.0072Ohm
输入电容
2.7nF
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大rds
4.2 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NVMFS5832NLT1G拓展信息
ON Semiconductor
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