NVMFS5832NLT1G
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ON Semiconductor NVMFS5832NLT1G

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型号

NVMFS5832NLT1G

utmel 编号

1807-NVMFS5832NLT1G

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO

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NVMFS5832NLT1G
NVMFS5832NLT1G ON Semiconductor MOSFET NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO

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NVMFS5832NLT1G详情

ON Semiconductor NVMFS5832NLT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 day ago)

  • 工厂交货时间

    38 Weeks

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    5

  • Number of Elements

    1

  • Turn Off Delay Time

    27 ns

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2013

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    5

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    175°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 最大功率耗散

    3.7W

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 引脚数量

    5

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    3.7W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    13 ns

  • 无卤素

    无卤素

  • 上升时间

    24ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    40V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 下降时间(典型值)

    8 ns

  • 连续放电电流(ID)

    21A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0072Ohm

  • 输入电容

    2.7nF

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大rds

    4.2 mΩ

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和ON Semiconductor & NVMFS5832NLT1G相似的参数规格。

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