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首页 全部分类 NVMFS5833NT3G vs NTTFS4821NTAG

NVMFS5833NT3G备选型号: NTTFS4821NTAG

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  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • Reach合规守则
  • 引脚数量
  • 配置
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NVMFS5833NT3G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 40V SO8FL
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)
    38 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    5
    16A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    not_compliant
    5
    Single
    N-Channel
    7.5m Ω @ 40A, 10V
    3.5V @ 250μA
    1714pF @ 25V
    32.5nC @ 10V
    40V
    ±20V
    16A
    86A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTTFS4821NTAG
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 7.5A 8WDFN
    ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    7.5A Ta 57A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    8
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    N-Channel
    7m Ω @ 20A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1755pF @ 12V
    24nC @ 11.5V
    -
    ±20V
    18.6A
    57A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    5
    DUAL
    S-PDSO-N5
    增强型MOSFET
    4.1W
    DRAIN
    12 ns
    SWITCHING
    22ns
    4.5 ns
    20V
    30V
    55 mJ
    750μm
    3.15mm
    3.15mm
    无
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NTTFS4821NTAG NTTFS4821NTAG ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerWDFN MOSFET N-CH 30V 7.5A 8WDFN 对比