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首页 全部分类 NVMFS5834NLWFT1G vs NTMFS5834NLT1G

NVMFS5834NLWFT1G备选型号: NTMFS5834NLT1G

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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 输入电容
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 安装类型
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • DS 击穿电压-最小值
  • ON Semiconductor
    NVMFS5834NLWFT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET Pwr MOSFET 40V 75A 9.3mOhm SGL N-CH
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)
    38 Weeks
    DFN
    YES
    5
    1
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    175°C
    -55°C
    3.6W
    DUAL
    FLAT
    5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    10 ns
    无卤素
    56.4ns
    40V
    N-CHANNEL
    6.6 ns
    75A
    20V
    276A
    1.231nF
    48 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    9.3mOhm
    9.3 mΩ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMFS5834NLT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 40V 13A SO-8FL
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
    -
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    YES
    5
    14A Ta 75A Tc
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    DUAL
    FLAT
    5
    -
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    10 ns
    -
    56.4ns
    40V
    -
    6.6 ns
    14A
    20V
    276A
    -
    48 mJ
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    表面贴装
    SILICON
    -55°C~175°C TJ
    3W
    N-Channel
    9.3m Ω @ 20A, 10V
    3V @ 250μA
    1231pF @ 20V
    24nC @ 10V
    ±20V
    40V
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