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首页 全部分类 NVMFS5885NLT1G vs IRF7351TRPBF

NVMFS5885NLT1G备选型号: IRF7351TRPBF

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  • 操作模式
  • 晶体管应用
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NVMFS5885NLT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET SO8FL 60V 39A 15MOHM
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
    38 Weeks
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    YES
    5
    10.2A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    5
    Single
    54W
    10 ns
    N-Channel
    15m Ω @ 15A, 10V
    2.5V @ 250μA
    无卤素
    1340pF @ 25V
    21nC @ 10V
    64ns
    ±20V
    52 ns
    10.2A
    20V
    39A
    60V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7351TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    8
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    Dual
    2W
    5.1 ns
    2 N-Channel (Dual)
    17.8m Ω @ 8A, 10V
    4V @ 50μA
    -
    1330pF @ 30V
    36nC @ 10V
    5.9ns
    -
    6.7 ns
    8A
    20V
    8A
    60V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    SILICON
    HEXFET®
    8
    2W
    鸥翼
    IRF7351PBF
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    60V
    64A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
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